با افزايش سريع تعـداد ترانزيـستورهـا در هـر تراشـه و نيـز کـاهش تـابع نمـايي ضـخامت گيـت دي الکتريـک در نـانو- ترانزيستورها انتظار مي رود که کوچـک شـدگي باعـث بـروز اثرات کوانتومي در نانو قطعات شود. امـروزه ضـخامت گيـت دي الکتريک بنا به پيشگويي مور (Moore) [٢] به حـدود ١ تا ١.٢ نانومتر رسيده است . تلاش هـايي گـسترده اي صـورت گرفته است تا بررسي کند که آيا مي توان اکسيد سيليکون را به عنوان يک گيت دي الکتريک مناسب ترانزيستورهاي بکار گرفت يا خير؟ [٣]. پژوهشگراني [٦], [٤] پيشنهاد کرده اند کـه بـراي افـزايش جريان عبوري از کانال ترانزيستور مـي بايـستي تمـاس بـين گيت دي الکتريـک و کانـال افـزايش يابـد کـه ايـن امـر بـا بکارگيري موادي با ثابت دي الکتريک بالا تحقق مي يابـد، از جمله ي اين دي الکتريک ها مي تـوان نيتريـد سـيليکون [٤]، نيتريــد و اکــسيد آلومينيــوم [٦], [٥]، و همچنــين مــواد پليمري [٧] را نام برد اما همچنان بکـار گـرفتن ايـن مـواد دي الکتريک با مشکلاتي روبه رو بوده است يعني هنوز نمي – توان در مورد ساختار و چگونگي لايه ي مياني آنهـا بـا زيـر- لايه ي سيليکون قضاوتي کرد و مطمئن بـود کـه سـاختاري آمورف دارند و مي توانند ساختار خودشـان را بـا تغييـر دمـا حفظ کنند. بنابراين اکسيد سـيليکون همچنـان بـه عنـوان اکسيد دي الکتريک در ترانزيستورهاي CMOS بکار مي آيند.

در راســتاي مطالعــه ي خـواص کانــال نــانوترانزيــستورهــا و جايگزيني نانولوله ي کربني به عنوان بـستري مناسـب بـراي انتقــال حامــل هــا در نانوترانزيــستورهــا کــه تحــت عنــوان (Carbon Nanotube Field Effect Transistor)CNTFET ، شناخته مي شوند، ابتـدا بـه بررسـي خـواص مکـانيکي ايـن ساختار کربني پرداختيم که بـا بدسـت آمـدن فـاکتورهـاي مشخص کننده ي خواص مکانيکي ، يعني مدول يانگ (Y θ) و نسبت پوآسون  به اين نتيجه رسيديم که نانولوله ي آرمچير با توجه به مقادير بالاي اين پارامترها نسبت به نـوع زيگزاگ مي تواند کانال مناسب تري باشد چرا کـه بـالا بـودن اين مقادير نشان از استحکام زياد اين ساختارها دارد[١]. در ادامه ي کار توجه خود را بـه گيـت دي الکتريـک و تـأثير آن روي انتقال حامل ها معطوف کرده ايم .

با توجه به مطالب بـالا, مـا در اينجـا بـا اسـتفاده از فرمـول لاندائو- بـوتيکر(Landauer-Buttiker) [٩], [٨] بـه ميـزان عبور حامل ها وبه عبارتي جريان نشتي از گيـت ترانزيـستور مي پردازيم و همان طوري که در ادامه مي آيد ملاحظـه مـي – کنيد که حامل هـا قادرنـد از اکـسيد سـيليکون فـوق نـازک (nm٢>) بر خلاف اکسيد سيليکون ضخيم تر، عبور کننـد و ترديد بکـار گـرفتن اکـسيد سـيليکون فـوق نـازک در نـانو ترانزيستورهاي آتي را بيشتر مي کند. همچنين بـا توجـه بـه نوع کانال انتخابي ما که نانولوله ي آرمچير مي باشـد و اينکـه اين نانولوله داراي خاصيت فلزي است پس نوع تماسـي کـه بين الکترود و کانال وجود دارد، اهمـي اسـت و ديگرشـاهد نفوذ حامل ها از الکترود به کانال نخواهيم بود.