لطفا به نکات زیر در هنگام خرید پدانلود پاورپوینت بررسي ارتباط کاواک با طيف خروجي در ليزر نيمه هادي GaAs توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه پدانلود پاورپوینت بررسي ارتباط کاواک با طيف خروجي در ليزر نيمه هادي GaAs قرار داده شده است 2-به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید 3-پس از پرداخت هزینه ، حداکثر طی 12 ساعت پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما ارسال خواهد شد 4-در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد 5-در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون زیر قرار نخواهند گرفت

اسلاید ۱ :

نور ليزر

تعريف: نور تقويت شده به وسيله گسيل القايي

Light Amplitude Stimulated Emission of Radiation

LASER

مشخصات نور ليزر:

۱٫تکفامي     ۲٫درخشايي       ۳٫همدوسي     ۴٫جهتمندي

اصل تعادل گرمايي:بنابر قانون بولتزمان اتمها ابتدا ترازهاي پايين را اشغال و سپس تراز بالا را اشغال ميکنند.

اسلاید ۲ :

برهمکنش امواج الکترومغناطيسي با اتم

.۱گسيل القايي

.۲گسيل خود بخودي

.۳جذب

اسلاید ۳ :

شرط اساسي ايجاد نور ليزر

ايجاد واروني انبوهي(inverse population):

روش هاي ايجاد واروني انبوهي:

.۱دمش اپتيکي 

.۲دمش الکتريکي

هدف از دمش اين است که فرآيند گسيل القايي بر فرآيند جذب غلبه کند يعني: بهره > اتلاف

اسلاید ۴ :

انواع کاواک ليزري

.۱کاواک پايدار(stable)

.۲کاواک ناپايدار(unstable)

اسلاید ۵ :

انواع مواد نيمه هادي

.۱نوعp     (دهنده الکترون ) As

.۲نوعn    ) گيرنده الکترون) Ga

در مواد نيمه هادي بر خلاف فلزات طيف انرژي از نوارهاي خيلي پهن تشکيل شده است.

احتمال اشغال حالت انرژي مورد نظر با f(E)

اسلاید ۶ :

نيمه هادي ذاتي و غير ذاتي

Øدر نيمه هادي ذاتي تعداد الکترون و حفره برابر است.

Øدر نيمه هادي غير ذاتي تعداد الکترون و حفره برابرنيست.

اسلاید ۷ :

انواع باز ترکيب و گاف نوار انرژي

.۱باز ترکيب تابشي: نتيجه آن توليد فوتون است.

.۲باز ترکيب غير تابشي: نتيجه آن اتلاف انرژي بصورت گرما(فونون) است.

Øگاف مستقيم GaAs   در اين مواد توليد فوتون داريم.

Øگاف غير مستقيم Ge,Si   در اين مواد توليد فونون داريم.

اسلاید ۸ :

آلياژهاي نيمه هادي و رابطه آن با ضريب شکست

ترکيبات مواد نيمه هادي مختلف آلياژهاي گوناگون با گاف مستقيم و غير مستقيم مي دهند.

اسلاید ۹ :

انواع ساختارهاي ليزر نيمه هادي

روشهاي گسيل نور در ساختارها

گسيلنده هاي سطحي

گسيلنده هاي کناري

اساس کار همه ساختارها, خواص موجبري ميباشد

اسلاید ۱۰ :

ساختارتخت بلند(FP )

Øدر ساختار تخت يکنواخت به دليل يکنواختي محيط اطراف لايه فعال اصل بازتاب کلي براي فوتون توليد شده اتفاق نمي افتد؛ بنابراين چگالي جريان آستانه بالايي دارند.

Øدر ساختار چندگانه اصل بازتاب کلي براي فوتون توليد شده رخ ميدهد.(به دليل وجود لايه هاي مختلف ضرايب شکست متفاوت است.)